存儲(chǔ)漲價(jià)潮“減速”？DRAM現(xiàn)貨價(jià)近半年來(lái)首次回調(diào) 機(jī)構(gòu)：“喘口氣”或還要漲

　　遭受存儲(chǔ)漲價(jià)潮重壓的下游廠商們，或許能稍稍“喘口氣”了。

　　據(jù)美銀最新報(bào)告顯示，在連漲多個(gè)月之后，上周DRAM現(xiàn)貨價(jià)格走弱，這也是該價(jià)格自2025年9月以來(lái)首次出現(xiàn)回調(diào)。

　　隨著DRAM現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)攀升，已有多家OEM反映，低階PC、智能手機(jī)與平板中的DRAM成本占比已高于合理水準(zhǔn)。一般而言，DRAM成本占比在終端產(chǎn)品售價(jià)中的比例低于一成，但按照目前現(xiàn)貨價(jià)格計(jì)算，部分產(chǎn)品已難以吸收相關(guān)成本。

　　不過(guò)，現(xiàn)貨價(jià)與合約價(jià)情況不同，一線OEM與普通OEM的成本也不盡相同。

　　美銀指出，DRAM現(xiàn)貨與合約價(jià)格仍存在明顯落差。一線OEM拿到的DRAM合約價(jià)格仍大致在每GB 10~20美元區(qū)間，遠(yuǎn)低于現(xiàn)貨市場(chǎng)水準(zhǔn)，現(xiàn)貨價(jià)格后續(xù)可能朝合約價(jià)格回歸。

　　部分模組廠也表示，若DDR4或DDR5價(jià)格回落至20~30美元區(qū)間，不論容量或規(guī)格，市場(chǎng)仍具備明顯追加采購(gòu)動(dòng)能。

　　美銀指出，目前不好將這次回調(diào)定義為“產(chǎn)業(yè)反轉(zhuǎn)”或是“硬著陸”的早期信號(hào)，但短期價(jià)格波動(dòng)已開(kāi)始反映終端成本。

　　回調(diào)是短暫的，從機(jī)構(gòu)預(yù)期來(lái)看，漲價(jià)依舊是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的“主旋律”。

　　TrendForce今日發(fā)布的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)調(diào)查顯示，2026年第一季AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)加劇全球存儲(chǔ)器供需失衡，原廠議價(jià)能力有增無(wú)減，全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價(jià)格環(huán)比增幅，預(yù)估整體Conventional DRAM合約價(jià)將從一月初公布的55%~60%環(huán)比增幅，改為上漲90%~95%，NAND Flash合約價(jià)則從環(huán)比增幅33%~38%上調(diào)至55%~60%，并且不排除仍有進(jìn)一步上調(diào)空間。

　　此外，美銀已上調(diào)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中期展望，將2026 年DRAM與NAND平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)預(yù)期上調(diào)20%以上，并小幅提高儲(chǔ)存位元出貨量成長(zhǎng)假設(shè)，同時(shí)上修資本支出預(yù)估，主要反映HBM擴(kuò)產(chǎn)，以及晶圓廠土木工程與電力等基礎(chǔ)建設(shè)投資增加。

　　美銀表示，在AI驅(qū)動(dòng)需求與HBM擴(kuò)產(chǎn)支撐下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中期基本面仍偏正向，后續(xù)關(guān)鍵仍在于價(jià)格修正幅度與終端需求消化速度。其仍看好存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)具備多年成長(zhǎng)周期，但預(yù)期2026年第二季至下半年ASP將趨于穩(wěn)定，2027年可能出現(xiàn)低于10%的價(jià)格回調(diào)。